Huawei phát triển chip 3 nm vào cuối năm nay

Theo dõi Báo Gia Lai trên Google News
Mặc dù Huawei đã phải đối mặt với áp lực gay gắt từ Mỹ khiến họ mất khả năng sản xuất smartphone bình thường nhưng công ty vẫn tiếp tục phát triển chipset của riêng mình cho tương lai.
 
Huawei bắt đầu quan tâm đến chip 3 nm. ẢNH CHỤP MÀN HÌNH
Huawei bắt đầu quan tâm đến chip 3 nm. ẢNH CHỤP MÀN HÌNH
Theo GizChina, sau khi Mỹ đưa ra các biện pháp trừng phạt đối với Huawei, TSMC của Đài Loan đã buộc phải từ bỏ việc hợp tác sản xuất chip Kirin độc quyền cho smartphone Huawei. Chip Kirin được phát triển bởi một công ty con của Huawei có tên HiSilicon.
Nhưng theo dữ liệu mới nhất, bất chấp khó khăn trong việc sản xuất chip, Huawei Technologies đã nộp đơn đăng ký nhãn hiệu chip Kirin vào ngày 22.4. Điều này cho thấy công ty Trung Quốc có lẽ vẫn chưa từ bỏ hy vọng trở lại thị trường trong tương lai.
Một số báo cáo gần đây cho biết Huawei đang phát triển chip di động Kirin 9010 thế hệ tiếp theo; dự kiến sẽ được sản xuất dựa trên quy trình sản xuất 3 nm. Việc thiết kế chip sẽ được công ty tự hoàn thiện vào cuối năm nay. Chip xử lý này sẽ được sử dụng trong smartphone và tablet hàng đầu của công ty.
Với việc TSMC vẫn chưa sẵn sàng cho công nghệ 3 nm, công ty Đài Loan nhiều khả năng chỉ có thể bắt đầu việc sản xuất chip 3 nm sớm nhất vào năm sau. Có thể đó là thời điểm Huawei sẽ đạt được một số thỏa thuận với nhà chức trách Mỹ để sẵn sàng sản xuất ngay lập tức.
Theo Thành Luân (TNO)

Có thể bạn quan tâm

Vì sao Google muốn đưa AI lên không gian?

Vì sao Google muốn đưa AI lên không gian?

(GLO)- Google đang thử nghiệm khả năng đưa chip trí tuệ nhân tạo (AI) lên quỹ đạo, nhằm nghiên cứu một hướng mới cho hạ tầng điện toán, trong bối cảnh nhu cầu năng lượng của AI ngày càng tăng.

Trung Quốc tìm hướng phát triển chip dưới 3 nm không cần máy EUV

Trung Quốc thử sản xuất chip dưới 3 nm bằng công nghệ DUV

(GLO)- Trung Quốc đã đạt bước tiến ban đầu trong việc phát triển transistor Gate-All-Around (GAA) sử dụng công nghệ quang khắc cực tím sâu (DUV) để phát triển các chip dưới 3 nanomet (nm), trong bối cảnh bị hạn chế tiếp cận thiết bị quang khắc cực tím siêu cao (EUV) tiên tiến.

null