Trung Quốc thử sản xuất chip dưới 3 nm bằng công nghệ DUV
(GLO)- Trung Quốc đã đạt bước tiến ban đầu trong việc phát triển transistor Gate-All-Around (GAA) sử dụng công nghệ quang khắc cực tím sâu (DUV) để phát triển các chip dưới 3 nanomet (nm), trong bối cảnh bị hạn chế tiếp cận thiết bị quang khắc cực tím siêu cao (EUV) tiên tiến.
