Audi triệu hồi 8 chiếc xe điện e-tron và 316 chiếc Q5 vì lỗi an toàn

Theo dõi Báo Gia Lai trên Google News

(GLO)- Cục Đăng kiểm Việt Nam và Audi Việt Nam vừa phát đi thông báo triệu hồi 8 chiếc Audi mẫu xe điện e-tron lỗi liên quan hệ thống phanh và 316 chiếc Q5 mẫu xe động cơ xăng do túi khí không đảm bảo an toàn.

Cụ thể, 8 chiếc Audi mẫu xe điện e-tron phiên bản GT và GTRS nằm trong diện triệu hồi đều được sản xuất trong khoảng thời gian từ ngày 9-1-2020 đến ngày 12-6-2024, được nhập khẩu và phân phối bởi Công ty TNHH Ô tô Á châu.

mau-xe-thuan-dien-audi-e-tron-gt.jpg
Mẫu xe thuần điện Audi e-tron GT

Nguyên nhân thông báo cho biết, trong quá trình sử dụng và vận hành xe, ống dầu phanh phía trước có thể bị nứt và hư hại. Tình trạng này dẫn đến mất dầu phanh và khiến cho hiệu suất phanh giảm; xe vẫn có thể giảm tốc với lực phanh phía sau nhưng không đảm bảo an toàn.

Theo tập đoàn Audi AG (Đức), tuy chưa ghi nhận bất kỳ trường hợp nào gây mất an toàn cho người trên xe liên quan đến lỗi trên nhưng cần phải triệu hồi xử lý để đảm bảo an toàn.

Trong khi đó, 316 chiếc Audi hạng sang mẫu Q5 động cơ xăng lỗi do túi khí Takata trang bị trên xe có nguy cơ bị hư hại dẫn đến mất an toàn cho người dùng nên phải triệu hồi khắc phục. Toàn bộ số xe này đều được sản xuất trong khoảng thời gian từ năm 2009 đến năm 2012.

mau-audi-q5-san-xuat-nam-2009.jpg
Mẫu Audi Q5 sản xuất năm 2009

Cục Đăng kiểm Việt Nam cho biết, bộ phận bơm khí của túi khí trên vô-lăng có thể bị hư hại do hơi ẩm xâm nhập theo thời gian và trong một số điều kiện khí hậu. Nguyên nhân được xác định là có thể do mức độ lão hóa của nhiên liệu dạng rắn dưới tác động của môi trường xung quanh, do điều kiện thời tiết ở Việt Nam, nơi có điều kiện nhiệt độ và độ ẩm cao, dễ gây nên các hiện tượng ảnh hưởng.

Điều này có thể dẫn đến đẩy nhanh quá trình đốt cháy nhiên liệu trong bộ phận bơm khí. Do đó, sẽ làm áp lực gia tăng quá lớn bên trong bộ phận bơm khí và dẫn đến vỏ bộ phận bơm khí bị hư hại. Sự lão hóa của nhiên liệu dạng rắn có thể xảy ra do ảnh hưởng từ độ ẩm và nhiệt độ trong một thời gian dài.

Trong trường hợp hệ thống túi khí được kích hoạt khi có va chạm, việc giải phóng khí trơ có thể tạo nên áp lực bên trong quá lớn dẫn đến khả năng bộ phận bơm khí bị nứt vỡ, qua đó các mảnh vỡ của bộ phận bơm khí bị văng ra có thể gây thương tích đến người sử dụng.

Có thể bạn quan tâm

Quang cảnh Hội nghị nghiệm thu đề tài khoa học cấp tỉnh

Nghiệm thu đề tài khoa học cấp tỉnh về an ninh môi trường biển tại Gia Lai

(GLO)- Chiều 25-9, Hội đồng Khoa học và Công nghệ chuyên ngành tỉnh Gia Lai tổ chức đánh giá, nghiệm thu kết quả thực hiện nhiệm vụ khoa học và công nghệ cấp tỉnh “Điều tra, phân tích, dự báo và xây dựng các phương án phòng ngừa, đảm bảo an ninh môi trường biển trên địa bàn tỉnh Gia Lai".

Vì sao Google muốn đưa AI lên không gian?

Vì sao Google muốn đưa AI lên không gian?

(GLO)- Google đang thử nghiệm khả năng đưa chip trí tuệ nhân tạo (AI) lên quỹ đạo, nhằm nghiên cứu một hướng mới cho hạ tầng điện toán, trong bối cảnh nhu cầu năng lượng của AI ngày càng tăng.

Công an Gia Lai đưa tiện ích lên môi trường số, phục vụ nhân dân

Công an Gia Lai đưa tiện ích lên môi trường số, phục vụ nhân dân

(GLO)- Từ giải quyết thủ tục hành chính, cấp căn cước, định danh điện tử đến tra cứu vi phạm giao thông, nhiều tiện ích được Công an tỉnh Gia Lai đưa lên môi trường số. Đằng sau là quá trình xây dựng, làm sạch, kết nối dữ liệu, cụ thể hóa Nghị quyết 57-NQ/TW, đổi mới quản lý, phục vụ nhân dân.

Facebook, Instagram đồng loạt gặp sự cố vào sáng 21-9

Facebook, Instagram đồng loạt gặp sự cố vào sáng 21-9

(GLO)- Sáng 21-9, hàng loạt người dùng Facebook, Instagram và một số ứng dụng thuộc hệ sinh thái Meta bất ngờ gặp sự cố khi truy cập. Tình trạng này được ghi nhận tại nhiều quốc gia, trong đó có Việt Nam, gây ảnh hưởng đến hoạt động liên lạc, cập nhật thông tin và sử dụng mạng xã hội.

Trung Quốc tìm hướng phát triển chip dưới 3 nm không cần máy EUV

Trung Quốc thử sản xuất chip dưới 3 nm bằng công nghệ DUV

(GLO)- Trung Quốc đã đạt bước tiến ban đầu trong việc phát triển transistor Gate-All-Around (GAA) sử dụng công nghệ quang khắc cực tím sâu (DUV) để phát triển các chip dưới 3 nanomet (nm), trong bối cảnh bị hạn chế tiếp cận thiết bị quang khắc cực tím siêu cao (EUV) tiên tiến.

null