Galaxy S9 sẽ phá kỷ lục về bộ nhớ trong của iPhone X

Theo dõi Báo Gia Lai trên Google News

iPhone X đang là chiếc điện thoại có dung lượng bộ nhớ trong lớn nhất hiện nay trong giới smartphone. Tuy nhiên vào năm 2018, Samsung Galaxy S9 có thể sẽ giành vị trí này.
 

Sau màn hình, camera thì dung lượng lưu trữ sẽ là yếu tố mới mà Samsung lựa chọn để cạnh tranh cùng Apple.
Sau màn hình, camera thì dung lượng lưu trữ sẽ là yếu tố mới mà Samsung lựa chọn để cạnh tranh cùng Apple.

Samsung Galaxy S9 sẽ là sản phẩm đáng chú ý tương tự bản tiền nhiệm của nó - Galaxy S8. Mặc dù được kỳ vọng cao nhưng model sắp tới sẽ chỉ có những cải tiến nhẹ. Tuy nhiên, thay đổi đáng chú ý nhất của Galaxy S9 khiến nhiều người bận tâm nhất có lẽ là giá.

Ngoài mức giá thì theo một báo cáo gần đây của Express, Samsung thông báo rằng họ đã sản xuất hàng loạt bộ nhớ trong 512 GB trong vài tháng qua. Tùy chọn lưu trữ này chưa từng xuất hiện trên bất cứ chiếc điện thoại nào. Đây là dung lượng thường chỉ xuất hiện trên những chiếc máy tính xách tay. Hiện nay, iPhone thế hệ mới nhất dẫn đầu thị trường về dung lượng lưu trữ với 256 GB, kèm mức giá đắt đỏ.

Nếu như "ông lớn" Samsung phát hành smartphone 512 GB thì Galaxy S9 có thể sẽ là lựa chọn ưa thích cho những người yêu thích chụp ảnh, quay phim nội dung 4K và tải về điện thoại của họ hàng loạt ứng dụng nặng nề.

Mặc dù chọn dung lượng lưu trữ làm "vũ khí" để cạnh tranh nhưng theo nhiều tin đồn gần đây, Samsung sẽ loại bỏ thẻ nhớ ngoài để chỉ tập trung vào bộ nhớ trong của máy. Nhưng với gần nửa TB bộ nhớ thì việc loại bỏ thẻ nhớ ngoài sẽ không khiến người hâm mộ Samsung phiền lòng.

Xuân Tiến/zing

Có thể bạn quan tâm

Nghiệm thu đề tài xây dựng quy trình trồng sâm non bằng phương pháp khí canh

Nghiệm thu đề tài xây dựng quy trình trồng sâm non bằng phương pháp khí canh

(GLO)- Chiều 22-4, Hội đồng Khoa học và Công nghệ chuyên ngành tỉnh Gia Lai nghiệm thu đề tài “Xây dựng quy trình trồng sâm non (sâm Hàn Quốc và Hồng đẳng sâm) bằng phương pháp khí canh tại Gia Lai”. Đề tài do Trường Đại học Tôn Đức Thắng chủ trì, Tiến sĩ Ngô Việt Đức làm chủ nhiệm.